据报谈,三星电子决定在2025岁首引进其首台ASML High NA EUV光刻机,并与英特尔、台积电伸开下代光刻技能生意化研发竞争。此前,三星电子与比利时微电子征询中心imec配合,在imec成就的High NA EUV光刻本质室进行了对High NA光刻的初步探索。推敲到精密的High NA EUV光刻机需要一段时间用于装置和调试,该机台有望最早于来岁中旬参加研发使用。
由于三星当今半导体先进制程途径图已绸缪至SF1.4节点(即2027年量产),摄取High-NA 光刻的制程最早也需要比及SF1。
r级书屋狂师在先进制程代工边界,三星的主要竞争敌手英特尔已完成第二台 High NA EUV 光刻机装置,台积电的首个机台也将于本年内结束录用。此外,在存储边界,SK海力士的首台 High NA EUV 光刻机则有望2026年引入。
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